同パワー半導体チップは三菱電機独自構造のトレンチ型を採用し、従来のプレーナー型に比べ電力損失を約５０％低減した。 インバーター の性能向上につなげ、ｘＥＶの航続距離延伸に貢献する。価格は個別見積もり。

【プレスリリース】発表日:2024年11月12日パワー半導体「xEV用SiC-MOSFETチップ」サンプル提供開始標準仕様のチップを初めて市場に供給し、xEVの普及と航続距離延伸や電費改善に貢献＊イメージ画像は添付の関連資料を参照三菱電機株式会社は、 ...

三菱電機株式会社は、電気自動車（EV）やプライグインハイブリッド車（PHEV）などの電動車（以下、xEV）の駆動モーター用のインバーターに使用されるxEV用SiC-MOSFET（※1）チップのサンプル提供を11月14日に開始します。当社として初めて、 ...

《power metal-oxide-semiconductor field-effect transistor》パワーエレクトロニクス分野で用いられる代表的なパワー半導体の一。大電力を扱うことができるモストランジスター（MOSFET）であり、スイッチングの動作速度が速く、スイッチング電源などに用いられる。

トレンチ型SiC-MOSFETに独自構造を採用し、xEVの航続距離延伸や電費改善に貢献 ・従来のプレーナー型よりオン抵抗を低減するため、Siパワー半導体 ...

東北テックベンチャーズ（TTV）はスタートアップ支援への新たな選択肢を提供します。東北大学発スタートアップ：株式会社FOXのパワー半導体開発にTTVはマクニカ、岩谷産業とともに出資いたしました。［東北テックベンチャーズ］ ...

アキュフェーズのA級最上位プリメインアンプ「E-800S」と、ステレオパワーアンプ「A-48S」を中心とした試聴会が、11月23日に大阪日本橋のシマムセンで、11月24日に大阪の上新日本橋店で開催される。アキュフェーズの技術者が製品を解説。2部構成に ...

LTC1693ファミリは、高速でPチャネルパワーMOSFETをドライブします。1.5Aのピーク出力電流により、高いゲート容量を持つMOSFETのスイッチング損失を低減します。 LTC1693-1は2つの非反転ドライバを内蔵しており、LTC1693-2は1つの非反転ドライバと1つの反転ドライバ ...

業界で最も低い消費電流、ハイサイドnチャネルMOSFETドライバ MAX1614は、ハイサイドnチャネルパワーMOSFETを駆動し、ポータブル機器のバッテリパワースイッチング機能を提供します。nチャネルパワーMOSFETは通常、サイズおよびコストが同程度のpチャネルMOSFET ...

当社として初めて、標準仕様のパワー半導体チップを市場 ... 当社独自の構造や製造工程を用いたSiC-MOSFETチップで、xEV用インバーターの性能向上 ...